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Silicon devices and process integration deep submicron and nano scale technologies 1st edition.pdf

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State aid N 734/94 S.G.S. THOMSON Microelectronics s.r.l. N 595/94 FINMECCANICA (ALENIA) S.p.A. N 596/94 BULL HN N 597/94 ITALTEL S.p.A. - EUREKA EU 127 JESSI (Joint European Submicron Silicon Initiative) (T22, AE 36, AC 5) - Research & Development - ITALY The objective of JESSI consists in creating a know-how and research network throughout Europe, in which scientists, producers of components and system users work together in order to ensure an European independent position regarding the basic technology of microelectronics.
Staatliche Beihilfe N 734/94 S.G.S. THOMSON Microelectronics s.r.l. N 595/94 FINMECCANICA (ALENIA) S.p.A. N 596/94 BULL HN N 597/94 ITALTEL S.p.A. - EUREKA EU 127 JESSI (Joint European Submicron Silicon Initiative) (T22, AE 36, AC 5) - Forschung und Entwicklung - ITALIEN Ziel von JESSI ist der Aufbau eines Forschungs- und Know-how-Netzes in Europa, bei dem Wissenschaftler, Komponentenhersteller und Systembenutzer zusammenarbeiten, um Europas Unabhängigkeit hinsichtlich der Basistechnologie der Mikroelektronik sicherzustellen.
The recommended platforms are all direct-drive, direct-feedback devices that have the submicron resolution and accuracy required for this application space.
Die empfohlenen Plattformen sind direkt angetriebene Systeme mit direkter Rückmeldung, verfügen über eine Auflösung im Submikrometerbereich und stellen damit die für dieses Anwendungsspektrum erforderliche Präzision bereit.
Lasers are widely used for micro machining in numerous applications whereas submicron laser machining or nano machining exist only in a lab.
Laser werden in der Mikrobearbeitung bei zahlreichen Anwendungen eingesetzt, während Laserbearbeitung im Submikro- oder Nanobereich erst auf Laborebene funktioniert.
A common problem with etching deep into silicon was that the process also etched sideways, eating into the wall of the structure being created and resulting in distorted walls.
Ein allgemeines Problem bei der Tiefenätzung von Silizium bestand darin, dass das Verfahren auch zur Seite ätzte, wodurch die Seitenwand der Struktur angegriffen und Wandverformungen verursacht wurden.
Wiring with standard wire widths is no longer justifiable for deep submicron circuits due to surface and performance reasons.
Verdrahtung mit Standard-Leitbahnbreiten ist für Deep-Sub-m-Schaltungen aus Flächen- und Performance-Gründen nicht mehr vertretbar.
The depth of technical expertise at Infineon and ST, combined with the knowledge we have on driving integration technology and flexibility at the silicon level, are essential to delivering this breakthrough technology.
Die umfassende technische Expertise von Infineon und ST, in Kombination mit unserem Know-How bei der Integration und der Flexibilität auf Silizium-Ebene, sind die Grundlagen bei der Bereitstellung dieser bahnbrechenden Technologie.
Medically and pharmaceutically approved polylactides and their copolymers were used to produce submicron particles by the nanoprecipitation process.
Zur Herstellung von Submikronpartikeln nach dem Fällungsverfahren wurden für medizinisch-pharmazeutische Applikationen zugelassene Polylactide und Copolymere ausgewählt.
His research groups have focused primarily on the development of quantum well and quantum dot VCSELs and related devices, the integration of VCSELs with silicon BiCMOS and micro-electro-mechanical systems, and related vertically integrated systems technologies.
Im Fokus seiner Forschungsgruppen lag vor allem die Entwicklung von Quantenwell- und Quantenpunkt-VCSELn und ähnlicher Bauelemente, die Integration von VCSELn mit Silizium basierten BiCMOS und mikroelektronischen Systemen und dazugehörige vertikalintegrierte Systemtechnologien.
The separation process is effective right down to the submicron range.
Das Abscheideverfahren ist bis in den Submicronbereich wirksam.
To give the wood surface an especially deep texture, in the 1st work step, a stranded wire surfaced brush is used, while in the subsequent treatment (2nd work step) a brush with silicon carbide bristles 1.27/grain 80 is used.
Arbeitsgang eine mit Litzendraht besetzte Bürste eingesetzt, während die Nachbehandlung (2. Arbeitsgang) durch eine mit Siliciumcarbid-Borsten 1,27/Korn 80 hergestellte Bürste erfolgt.
Atral uses cutting edge technologies such as secure radio transmission systems, extra low power consumption electronics, infrared and microwave optical detection devices, etc. The company also boasts expertise in the design and manufacture of systems based on multi-network secure communication protocols and specific on-silicon integration in partnership with its external suppliers.
Atral setzt ausschließlich Spitzentechnologien ein: Gesicherte Funkübertragungen, Elektronik mit Niedrigstverbrauch, optische Infrarot- und Radar-Erkennung, etc. Atral beherrscht aber auch das Planen und Realisieren von Systemen auf Basis gesicherter Funk-Protokolle mit mehreren Funk-Bändern sowie die spezielle Silizium-Integration in enger Zusammenarbeit mit den Zulieferfirmen.
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